16.(14分)四碘化锡(Sl,)主要用于制造有机锡配合物。某小组利用单质锡和碘制备四碘
化锡，其主要实验流程如下（反应装置见下图，夹持仪器略去）。
20.0g锡片（过量)
25.4g↓
反应装置
反应液转移，趁热过滤，洗涤。合并铁涤液、藤恤
四陕化锅产品
回
35.0 mL CS,
已知：①Sl,为橙红色立方晶体，受潮易水解，熔点为145.7℃，沸点为364.5℃，易溶于
CS2、苯、四氯化碳等有机溶剂。
②CS的沸点为46.2℃，12的升华温度为45-77℃。
请回答下列问题：
(1)四碘化锡的晶体类型为
晶体。
(2)按装置图组装好仪器，打开玻璃塞B,向仪器A中小心加人1.5mL无水乙醚，塞好玻
璃塞B,用电吹风加热仪器A的底部至乙醚完全挥发，其目的是
:实验前将锡片剪成细小碎片、碘研磨为粉末状的目
的是
(3)仪器D的冷凝效果
(填“优于“或“劣于”)直形冷凝管，冷却水从接口
(填“a”或“b")流出仪器。
(4)实验中用水浴加热控制反应温度为40℃左右，判断“反应装置”中的反应已完全的实
验现象是
(5)步骤Ⅱ中进行洗涤时，选用的洗涤剂最好是
(填化学式)。
(6)实验得到四碘化锡产品25.08g,此次实验的产率为
%。
17.(14分)晶体储(G)是一种重要的半导体材料，具有高导热率、高电阻率、低膨胀系数和
稳定的化学性质等优点。一种以二氧化锗粗品（含A3,0杂质）为原料制备高纯G 的工
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艺流程如图所示。
NaOH溶液
NaCO溶液浓盐酸
高栀水
粗品
碱浸
“氧亿→间→c,一→水解
过滤、洗涤，Ce0,·nH,0
200℃均烧
高纯Ce←
650-680℃
已知：①GCL熔点为-51.5℃，沸点为86.6℃，易水解。
②碱浸"液中的阴离子有0Hˉ、As02、Ge0}:As02与盐酸反应生成剧毒的AsCl3。
请回答下列问题：
(1)“氧化”过程中有NAs0,生成，该反应的离子方程式为
;“氧化”的目的是
(填一条)。
(2)“蒸馏”过程中生成GeCL,的化学方程式为
(3)若“灼烧"操作在实验室完成，可在如图装置中进行，则仪器a、b分别为
(填名称)。
(4)在Ce02还原为Ge的反应中，当转移2mol电子时，理论上制备单质绪的质量为
B,所需H质量大于理论值的原因可能为
(5)Ge-I和Ge-Ⅱ是单质Ge的两种同素异形体，二者晶胞结构如图所示（其中Ge-Ⅱ
晶胞中有两个小球在晶胞体内)。
G
Ge-0
若Ge-I和Ge-Ⅱ晶体的密度分别为p,g·cm-3和p2g·cm3,则Ge-I和Ge-Ⅱ
品胞的体积之比是
(用含P、P2的代数式表示)。
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