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①结合图a、b分析最佳的反应温度范围和投料比范围是A.215~225℃；1.2~1.4(填字母)。C.250~268℃；1.8~2.0B.225~240℃；1.3~1.6D.250~270℃：1.2~1.8②当投料比一定时，重整气中n(CO)%随温度升高呈递增趋势，其可能原因是(4)1mol甲醇气体和1.2m01水蒸气混合充入1L恒容密闭容器中，控制反应温度为300℃，起始压强为2.0MPa下进行反应，存在副反应：CO,(g)+H,(g)一CO(g)+H,O(g)。平衡时容器中n(CHOH)=n(CO)=0.1mol,此时H,0的浓度为整反应的平衡常数K,=,则甲醇水蒸气重(结果保留一位小数)。(二)选考题：共15分。请考生从给出的两道题中任选一题作答。如果多做，则按所做的第一题计分。18.【选修3：物质结构与性质】(15分)受技术封锁的影响，我国芯片发展急需自我突破，我国11N电子级高纯硅实现量产，华为公司发布AI芯片麒麟980，这标志着我国高科技企业的芯片技术迈人国际领先水平。I.光刻技术是制芯片最关键的技术。4-羟基二苯甲酮衍生物(通常作为光HO刻技术的光引发剂。(1)该分子中，C原子的杂化方式为(2)原子中运动的电子有两种相反的自旋状态，若一种自旋状态用十号表示，与之相反的用一号表示，称为电子的自旋磁量子数。对于基态的氧原子，其价电子自旋磁量子数的代数和为Ⅱ.有机卤化铅晶体具有独特的光电性能，是半导体成晶的重要辅助，其晶胞结构如下图。○有机离子。Pb2O CI-(3)若该晶胞的边长为1nm,则最近的两个C1中心间的距离是nm.(4)在该晶胞的另一种表达方式中，若图中Pb+处于顶点位置，则有机离子处于位置。原子坐标参数A为000)：P6为（合号号）则A为Ⅲ，光刻技术需要利用深紫激光，我国是唯一掌握通过非线性光学晶体变频来获得深紫外激光技术的国家。目前唯一实用化的晶体是氟代硼皱酸钾晶体KBBF(KBe,BO,F,),其晶胞如图所示，其中K原子已经给出，氧原子略去)。(5)图中字母Z代表的原子是(填名称)，该KBBF晶体的晶胞参数分别为anm和cnm,a=月=y=90°，则晶体密度为g·cm-3(M代表KBBF的摩尔质量，NA表示阿伏加德罗常数的值，列出计算式)。【2022高中学业水平选择性考试冲刺试卷（六）·化学第6页（共7页）】本文标签：